RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3049
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link