Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston XF875V-HYA 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Kingston XF875V-HYA 8GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 39

Около 33% меньшая задержка

Kingston XF875V-HYA 8GB

Причины выбрать
Kingston XF875V-HYA 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.3 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 39
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 13.3
Скорость записи, Гб/сек

9.0 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2274

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

модули RAM