RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2910
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link