RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2494
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link