RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3609
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link