RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3684
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link