RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1897
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link