RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
58
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
58
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1968
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QHY-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M2C1866C10 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link