RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1693
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link