RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
26
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3483
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link