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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
26
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
20
读取速度,GB/s
12.8
19.5
写入速度,GB/s
9.0
15.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3483
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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