RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
67
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
67
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1879
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link