RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
67
Por volta de 61% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
67
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1879
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link