RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2939
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link