RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2939
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link