RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
3469
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link