RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
58
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2871
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link