Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 16.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,107.0 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    32 left arrow 58
    左右 -81% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    58 left arrow 32
  • 读取速度,GB/s
    4,025.3 left arrow 16.4
  • 写入速度,GB/s
    2,107.0 left arrow 12.2
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 2871
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