RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2179
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link