Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 34

Около 18% меньшая задержка

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.9 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.9 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 34
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 19.9
Скорость записи, Гб/сек

8.5 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2213 3271

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB

Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

модули RAM

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

модули RAM