RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
43
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
3083
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link