Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB против Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Средняя оценка

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 40

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.4 11

Среднее значение в тестах

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

10.0 9.1

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

29 40
Скорость чтения, Гб/сек

12.4 11.0
Скорость записи, Гб/сек

9.1 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2379 2493

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB

модули RAM

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

модули RAM