RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.7
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2865
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link