RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2806
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link