RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3440
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link