RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2130
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link