RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
75
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
75
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1717
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP512S64BP8-C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link