RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3432
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link