RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2544
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link