RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2605
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link