RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
21.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
4349
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link