RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3716
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link