RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
23.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
4276
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link