RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2046
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link