RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против INTENSO 5641162 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
INTENSO 5641162 8GB Причины выбрать
INTENSO 5641162 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 51
    Около -122% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.2 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.7 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.8 left arrow 16.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 11.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2208 left arrow 2799

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

INTENSO 5641162 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
модули RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
модули RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
модули RAM
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
модули RAM