RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Kingston 9905702-204.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3084
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link