RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Kingston 9905713-004.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
66
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
66
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1473
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link