RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2854
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link