RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3026
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link