RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3609
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link