RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
71
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
71
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1650
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link