RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
71
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
71
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1650
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link