RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3188
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link