RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3826
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link