RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
51
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
44
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2518
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link