RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
73
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
73
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1843
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link