RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3784
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link