RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3672
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link