RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3614
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link