RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
71
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
71
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
1799
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link