RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
64
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
64
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2016
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link